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IXTA32N20T
IXTP32N20T
70
Fig. 7. Input Admittance
45
Fig. 8. Transconductance
60
50
40
30
T J = - 40oC
25oC
150oC
40
35
30
25
20
T J = - 40oC
25oC
150oC
15
20
10
10
0
5
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
40
9
8
7
6
5
4
V DS = 100V
I D = 16A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10,000
f = 1 MHz
100
R DS(on) Limits
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
1,000
100
Ciss
Coss
10
1ms
25μs
100μs
10ms
Crss
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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